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Vishay Semi-conducteurs

Vishay Semi-conducteurs
Image partie # Définition fabricant Le stock RFC
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Vishay ESD Suppresseurs TVS Diodes 600W 7.5V 5% Unidir SMA6J7.5A-E3/5A

Vishay ESD Suppresseurs TVS Diodes 600W 7.5V 5% Unidir
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VO1263AACTR

Optocoupleurs à sortie de photodiode Du conducteur de MOSFET photovoltaïque double
qualité [#varpname#] usine

VO3120-X007T

Optocoupleurs de sortie logique 2.5A courant sortant IGBT/MOSFET Drvr
qualité [#varpname#] usine

VOM160RT

Optocoupleurs de sortie Triac et SCR 600V 10mA 0,5K DV/DT Pas de virage
qualité [#varpname#] usine

6N137-X007T

Optocoupleurs à haute vitesse 10Mbd CTR unique à haute vitesse> 300%
qualité [#varpname#] usine

Pour les produits de la catégorie 1

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique> 160-256%
qualité [#varpname#] usine

Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe V.

Optocoupleurs de sortie de transistors CTR 63-125% 10MA
qualité [#varpname#] usine

SFH6156-3T

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique 100 à 200%
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TCLT1000

Phototransistor de coupleurs optiques de sortie de transistor
qualité [#varpname#] usine

Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre.

Transistors de sortie Optocoupleurs d'entrée CA, Phtotrnstr 63-125% CTR VDE
qualité [#varpname#] usine

Les caractéristiques de l'appareil doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'appareil.

Optocoupleurs de sortie de transistors H. Relblty 5300 Vrms 63-125% CTR
qualité [#varpname#] usine

Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement.

Optocoupleurs de sortie de transistors Optocplr Phototrnstr 100 à 200% de CTR
qualité [#varpname#] usine

TCLT1009

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique 200 à 400%
qualité [#varpname#] usine

LQI1

Optocoupleurs de sortie de transistors Phototransistors de sortie Quad CTR > 20%
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CNY65AGRST

Transistors de sortie Optocoupleurs PHOTOTRANSISTORS sortie CTR 100 à 300
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Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission.

Optocoupleurs de sortie de transistors Optocplr Phototrnstr 100 à 200% CTR VDE
qualité [#varpname#] usine

Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement.

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique> 100 à 200%
qualité [#varpname#] usine

Le montant de la taxe est fixé à:

Phototransistor de coupleurs optiques de sortie de transistor
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Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm.

CANAL N MOSFET 600V
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SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifié
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

MOSFET 20V 4.4A MOSFET P-CH
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IRFB18N50KPBF

MOSFET N-Chan 500V 17 ampères
qualité [#varpname#] usine

SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 150V 4.1A 3,5W 105mohm @ 10V
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Les données sont fournies par les autorités compétentes.

MOSFET N-Chan 600V 16 ampères
qualité [#varpname#] usine

SI2371EDS-T1-GE3

Le système de détection de la pollution par le gaz doit être équipé d'un système de détection de la
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SI4816BDY-T1-GE3

MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 mohm
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.

Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
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SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
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SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
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IRL520PBF

MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampère
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IRFP064PBF

MOSFET N-Chan 60V 70 Ampère
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IRF840APBF

MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampère
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Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:

MOSFET P-Chan 100V 12 ampères
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IRFU320PBF

MOSFET N-Chan 400V 3,1 ampères
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SI1869DH-T1-E3

Le système de commande de charge de MOSFET est de 1,8 V.
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SQ7415AEN-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifié
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IRF9630PBF

MOSFET P-Chan 200V 6,5 ampères
qualité [#varpname#] usine

IRFPG50PBF

MOSFET N-Chan 1000V 6,1 ampères
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SI1024X-T1-GE3

MOSFET double N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4,5V
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Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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IRFP264PBF

MOSFET N-Chan 250V 38 Ampère
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Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à

MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
qualité [#varpname#] usine

Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail.

MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualifié
qualité [#varpname#] usine

Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire de référence.

Diodes et rectificateurs Schottky 2X3.5A 100V cathode commune
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VS-10MQ100NTRPBF

Diodes et redresseurs de Schottky 2,1 ampères 100 volts
qualité [#varpname#] usine

Pour les produits présentant une teneur en dioxyde de carbone supérieure à 0,9 mg/kg, la teneur en dioxyde de carbone supérieure à 0,9 mg/kg est utilisée.

Le système de réglage de l'énergie doit être équipé d'un système de régulation de l'énergie.
qualité [#varpname#] usine

Pour les appareils de surveillance des risques, le système de surveillance de l'environnement est utilisé.

Les réctificateurs 16A 1200V ultra-rapides 30ns HEXFRED
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Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil

Les circuits intégrés de commutation multiplexeurs à double différence 4:1, Multiplexeur/MUX à 2 bit
qualité [#varpname#] usine

Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil

Les circuits intégrés de commutation multiplexeurs Single 8:1, 3 bits 20/25 V
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Les données sont fournies par la DG408DQ-T1-E3

Les circuits intégrés de commutation multiplexeurs Single 8:1, Multiplexeur 3 bits/MUX
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