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Vishay Semi-conducteurs

Vishay Semi-conducteurs
Image partie # Définition fabricant Le stock RFC
qualité Vishay ESD Suppresseurs TVS Diodes 600W 7.5V 5% Unidir SMA6J7.5A-E3/5A usine

Vishay ESD Suppresseurs TVS Diodes 600W 7.5V 5% Unidir SMA6J7.5A-E3/5A

Vishay ESD Suppresseurs TVS Diodes 600W 7.5V 5% Unidir
qualité VO1263AACTR usine

VO1263AACTR

Optocoupleurs à sortie de photodiode Du conducteur de MOSFET photovoltaïque double
qualité VO3120-X007T usine

VO3120-X007T

Optocoupleurs de sortie logique 2.5A courant sortant IGBT/MOSFET Drvr
qualité VOM160RT usine

VOM160RT

Optocoupleurs de sortie Triac et SCR 600V 10mA 0,5K DV/DT Pas de virage
qualité 6N137-X007T usine

6N137-X007T

Optocoupleurs à haute vitesse 10Mbd CTR unique à haute vitesse> 300%
qualité Pour les produits de la catégorie 1 usine

Pour les produits de la catégorie 1

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique> 160-256%
qualité Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe V. usine

Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe V.

Optocoupleurs de sortie de transistors CTR 63-125% 10MA
qualité SFH6156-3T usine

SFH6156-3T

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique 100 à 200%
qualité TCLT1000 usine

TCLT1000

Phototransistor de coupleurs optiques de sortie de transistor
qualité Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre. usine

Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre.

Transistors de sortie Optocoupleurs d'entrée CA, Phtotrnstr 63-125% CTR VDE
qualité Les caractéristiques de l'appareil doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'appareil. usine

Les caractéristiques de l'appareil doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'appareil.

Optocoupleurs de sortie de transistors H. Relblty 5300 Vrms 63-125% CTR
qualité Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement. usine

Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement.

Optocoupleurs de sortie de transistors Optocplr Phototrnstr 100 à 200% de CTR
qualité TCLT1009 usine

TCLT1009

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique 200 à 400%
qualité LQI1 usine

LQI1

Optocoupleurs de sortie de transistors Phototransistors de sortie Quad CTR > 20%
qualité CNY65AGRST usine

CNY65AGRST

Transistors de sortie Optocoupleurs PHOTOTRANSISTORS sortie CTR 100 à 300
qualité Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission. usine

Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission.

Optocoupleurs de sortie de transistors Optocplr Phototrnstr 100 à 200% CTR VDE
qualité Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement. usine

Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement.

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique> 100 à 200%
qualité Le montant de la taxe est fixé à: usine

Le montant de la taxe est fixé à:

Phototransistor de coupleurs optiques de sortie de transistor
qualité Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm. usine

Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm.

CANAL N MOSFET 600V
qualité SQJA86EP-T1_GE3 usine

SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifié
qualité Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. usine

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

MOSFET 20V 4.4A MOSFET P-CH
qualité IRFB18N50KPBF usine

IRFB18N50KPBF

MOSFET N-Chan 500V 17 ampères
qualité SI7956DP-T1-GE3 usine

SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 150V 4.1A 3,5W 105mohm @ 10V
qualité Les données sont fournies par les autorités compétentes. usine

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

MOSFET N-Chan 600V 16 ampères
qualité SI2371EDS-T1-GE3 usine

SI2371EDS-T1-GE3

Le système de détection de la pollution par le gaz doit être équipé d'un système de détection de la
qualité SI4816BDY-T1-GE3 usine

SI4816BDY-T1-GE3

MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 mohm
qualité Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2. usine

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.

Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
qualité SI4431CDY-T1-GE3 usine

SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
qualité SQ2361AEES-T1_GE3 usine

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
qualité IRL520PBF usine

IRL520PBF

MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampère
qualité IRFP064PBF usine

IRFP064PBF

MOSFET N-Chan 60V 70 Ampère
qualité IRF840APBF usine

IRF840APBF

MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampère
qualité Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes: usine

Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:

MOSFET P-Chan 100V 12 ampères
qualité IRFU320PBF usine

IRFU320PBF

MOSFET N-Chan 400V 3,1 ampères
qualité SI1869DH-T1-E3 usine

SI1869DH-T1-E3

Le système de commande de charge de MOSFET est de 1,8 V.
qualité SQ7415AEN-T1_GE3 usine

SQ7415AEN-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifié
qualité IRF9630PBF usine

IRF9630PBF

MOSFET P-Chan 200V 6,5 ampères
qualité IRFPG50PBF usine

IRFPG50PBF

MOSFET N-Chan 1000V 6,1 ampères
qualité SI1024X-T1-GE3 usine

SI1024X-T1-GE3

MOSFET double N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4,5V
qualité Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement usine

Les données relatives à l'enregistrement de l'enregistrement

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
qualité IRFP264PBF usine

IRFP264PBF

MOSFET N-Chan 250V 38 Ampère
qualité Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à usine

Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à

MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
qualité Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. usine

Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail.

MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualifié
qualité Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire de référence. usine

Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire de référence.

Diodes et rectificateurs Schottky 2X3.5A 100V cathode commune
qualité VS-10MQ100NTRPBF usine

VS-10MQ100NTRPBF

Diodes et redresseurs de Schottky 2,1 ampères 100 volts
qualité Pour les produits présentant une teneur en dioxyde de carbone supérieure à 0,9 mg/kg, la teneur en dioxyde de carbone supérieure à 0,9 mg/kg est utilisée. usine

Pour les produits présentant une teneur en dioxyde de carbone supérieure à 0,9 mg/kg, la teneur en dioxyde de carbone supérieure à 0,9 mg/kg est utilisée.

Le système de réglage de l'énergie doit être équipé d'un système de régulation de l'énergie.
qualité Pour les appareils de surveillance des risques, le système de surveillance de l'environnement est utilisé. usine

Pour les appareils de surveillance des risques, le système de surveillance de l'environnement est utilisé.

Les réctificateurs 16A 1200V ultra-rapides 30ns HEXFRED
qualité Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil usine

Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil

Les circuits intégrés de commutation multiplexeurs à double différence 4:1, Multiplexeur/MUX à 2 bit
qualité Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil usine

Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil

Les circuits intégrés de commutation multiplexeurs Single 8:1, 3 bits 20/25 V
qualité Les données sont fournies par la DG408DQ-T1-E3 usine

Les données sont fournies par la DG408DQ-T1-E3

Les circuits intégrés de commutation multiplexeurs Single 8:1, Multiplexeur 3 bits/MUX
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