DG468DV-T1-E3
Les spécifications
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)
Interface
Commutateurs analogiques, multiplexeurs et démultiplexeurs
Assortiment de canal en canal (&Delta ; Ron):
-
-3db de bande passante:
-
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Emballage / boîtier:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
Temps de commutateur (tonne, dandy) (maximum):
140 ans, 80 ans
Actuel - fuite (EST ()) (Maximum):
1nA
Tension - approvisionnement, double (V±):
±4.5V | 20V
Circuit multiplexeur/démultiplexeur:
1:1
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Capacité de la Manche (CS (), CD ()):
30pF, 15pF
Tension - approvisionnement, simple (V+):
7V | 36V
Circuit de commutateur:
SPST - NON
Nombre de circuits:
1
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Série:
-
Écoute transversale:
-
Résistance de Sur-état (maximum):
9Ohm
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
6-TSOP
Injection de charge:
21pC
Mfr:
Vishay Siliconix
Numéro du produit de base:
DG 468
Introduction
1 Commutateur IC de circuit 1:1 9Ohm 6-TSOP
Produits connexes
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail.
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Le numéro IRFP448PBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité.
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention.
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm.
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3
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| Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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Le numéro IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité. |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention. |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
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SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
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Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm. |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
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SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
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