Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise.
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
1.4V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
Le produit doit être présenté sous forme d'un écran.
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.38 Ohm @ 750mA, 4,5 V
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
1.8V, 4.5V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour l'électricité
Vgs (maximum):
±16V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
350 pF @ 100 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
TrenchFET®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le produit doit être présenté sous forme d'un écran.
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
2.6A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
3.5W (Ta), 19W (Tc)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Le nombre de personnes concernées
Introduction
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 3,5 W (Ta), 19 W (Tc) Montage de surface PowerPAK® SC-70-6
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Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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