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fabricant:
Vishay Siliconix
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
4.1 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz à effet de serre:
Type de FET:
P-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Série:
TrenchFET®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
1.6A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
1W (merci), 1.7W (comité technique)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Le nombre de personnes concernées
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.
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| Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
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