RJK0651DPB-00#J5
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
-
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
SC-100, SOT-669
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
15 OR @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 12.5A, 10V
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
2030 pF @ 10 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
LFPAK
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
25A (ventres)
Dissipation de puissance (maximum):
45W (comité technique)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
RJK0651
Mettre en évidence:
Semiconductor IC RJK0651DPB
,IC chip RJK0651DPB-00
,RJK0651DPB-00 semiconductor
Introduction
La valeur de l'échantillon est calculée en fonction de l'échantillonnage de l'échantillon
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Le numéro de série est le numéro de série.
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| Image | partie # | Définition | |
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HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II. |
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RJK0653DPB-00#J5 |
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RJK0346DPA-00#J0 |
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
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