RJK03B9DPA-00#J53
fabricant:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Définition:
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Vgs(th) (maximum) @ Id:
-
Série:
-
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
7,4 OR @ 4,5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-WPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.6mOhm @ 15A, 10V
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1110 pF @ 10 V
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Dissipation de puissance (maximum):
25W (comité technique)
Emballage / boîtier:
8-PowerWDFN
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
30A (Ta)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Caractéristique de FET:
-
Mettre en évidence:
Semiconductor IC RJK03B9DPA
,IC chip with warranty
,RJK03B9DPA-00#J53 semiconductor component
Introduction
N-canal 30 V 30 A (Ta) 25 W (Tc) Monture de surface 8-WPAK
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Le numéro de série est le numéro de série.
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| Image | partie # | Définition | |
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HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II. |
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RJK0653DPB-00#J5 |
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
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