RJK0346DPA-00#J0
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Vgs(th) (maximum) @ Id:
-
Série:
-
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
49 nC @ 4,5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-WPAK (3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2 mOhm @ 32,5 A, 10 V
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
7650 pF @ 10 V
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Dissipation de puissance (maximum):
Pour les appareils à commande numérique
Emballage / boîtier:
8-PowerWDFN
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
Le montant de l'indemnité est calculé à partir de l'indice suivant:
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Caractéristique de FET:
-
Introduction
N-canal 30 V 65A (Ta) 65W (Tc) Monture de surface 8-WPAK (3)
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Pour les appareils à commande numérique
IC FREQ SYNTH 32TQFP
Image | partie # | Définition | |
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![]() |
HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II. |
DIODE ZENER 0.4W
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RJK0653DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
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![]() |
RJK0351DPA-02#J0 |
N-CHANNEL POWER MOSFET
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RJK03B9DPA-00#J53 |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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Pour les appareils à commande numérique |
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