Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Vishay Siliconix
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
165 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
15mOhm @ 17A, 10V
Type de FET:
P-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
4950 pF @ 25 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
TrenchFET®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-252AA
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
50A (comité technique)
Dissipation de puissance (maximum):
3W (merci), 136W (comité technique)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Dépôt de crédit
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Produits connexes
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail.
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Le numéro IRFP448PBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité.
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention.
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm.
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
| Image | partie # | Définition | |
|---|---|---|---|
|
|
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
Le numéro IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
|
|
|
|
Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité. |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
|
|
|
|
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention. |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
|
|
|
|
SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
|
|
|
|
Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm. |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
|
|
|
|
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
|
|
|
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
|
|
|
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
|
|
|
|
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
