Le numéro IRFL110TRPBF
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fabricant:
Vishay Siliconix
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
Pour les appareils électroniques
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
8,3 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
540 mOhm @ 900 mA, 10 V
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-223
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
1.5A (comité technique)
Dissipation de puissance (maximum):
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
IRFL110
Introduction
N-Channel 100 V 1,5A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Monture de surface SOT-223
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