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fabricant:
Vishay Siliconix
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
38 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1Pour les appareils à commande numérique
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le paquet:
Tuyaux
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
500 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
610 pF @ 25 V
Type de montage:
À travers le trou
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
4.5A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
Pour les appareils à commande numérique
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
IRF830
Mettre en évidence:
IRF830PBF power MOSFET
,IRF830PBF semiconductor IC
,IRF830PBF with warranty
Introduction
N-canal 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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| Image | partie # | Définition | |
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