Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
25 OR @ 10 V
Caractéristique de FET:
-
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
TrenchFET®
Vgs (maximum):
± 20 V
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:
Mfr:
Vishay Siliconix
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
P-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Dissipation de puissance (maximum):
1.5W (ventres)
Emballage / boîtier:
PowerPAK® 1212-8
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
3.6A (ventres)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Le nombre de personnes concernées
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
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SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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Le numéro IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité. |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention. |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
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SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
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Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm. |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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SQM100P10-19L_GE3 |
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