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fabricant:
Vishay Siliconix
Définition:
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3.6V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
PowerPAK® SO-8
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
64 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2Pour les appareils à haute tension:
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
7.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3250 pF @ 30 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
TrenchFET® génération IV
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
60A (comité technique)
Dissipation de puissance (maximum):
69.4W (Tc)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Les résultats de l'enquête
Introduction
N-Channel 60 V 60 A (Tc) 69,4 W (Tc) Montage de surface PowerPAK® SO-8
Produits connexes
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail.
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Le numéro IRFP448PBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité.
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention.
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm.
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
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| Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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Le numéro IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité. |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention. |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
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SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
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Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm. |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
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SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
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