Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
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fabricant:
Vishay Siliconix
Définition:
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être conforme à la réglementation en vigueur
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier:
PowerPAK® SO-8
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
60 nC à 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8.2mOhm @ 10A, 10V
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
80 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils à combustion
Type de montage:
Monture de surface
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101, TrenchFET®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
60A (comité technique)
Dissipation de puissance (maximum):
68W (TC)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
SQJA82
Introduction
N-Channel 80 V 60A (Tc) 68W (Tc) Montage de surface PowerPAK® SO-8
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| Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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Le numéro IRFP448PBF |
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Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité. |
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention. |
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